材料プロセス用 ピコ秒レーザー CEPHEUS
ピコ秒レーザー加工、OEM組込みに最適なモードロック・ダイオード励起Nd:YVO4レーザー。透明材料を含む多彩な素材の非熱加工や、高繰り返し周波数、ピコ秒パルスによる高速加工、精密加工に最適。SHG, THG可。最大平均出力50W、最大繰返し1MHz、パルス幅15ps、最大パルスエネルギー300 μJ
ピコ秒レーザー加工、OEM組込みに最適なモードロック・ダイオード励起Nd:YVO4レーザー。透明材料を含む多彩な素材の非熱加工や、高繰り返し周波数、ピコ秒パルスによる高速加工、精密加工に最適。
- 空冷または水冷
- 低い稼働経費
- コンパクト:システム組込みが容易
- バーストモード
- 高信頼性:堅牢、高安定性
- 高パルスエネルギー:最大300μJ
- パルス・オンデマンド
Photon Energy (フォトンエナジー)社のCEPHEUSシリーズは、コンパクトな超短パルスのモードロックDPSSレーザーで、パルス幅は約15 ps未満です。ピコ秒レーザーは、レーザー波長に依存しない材料プロセスを実現する非線形多光子吸収プロセスを誘起します。すなわち透明材料を含むほぼ全ての素材に対するレーザー加工を可能にします。またナノ秒レーザーの熱効果によるアブレーションとは異なる、いわゆる超高速レーザーによる「コールドアブレーション」にもCEPHEUSシリーズは最適で、熱による溶解、変質、変色といった加工対象の劣化を避けたいあらゆる材料プロセスに使用できます。さらにマイクロジュールレベルのパルスエネルギーで、ナノ秒レーザーよりもはるかに精密な加工が可能です。
CEPHEUS は最高 300 μJ の高いパルスエネルギーを出力し、高精度穴あけなどに好適です。また高繰り返し周波数で高速加工にも適用できます。パルスエネルギーと繰返し周波数はフレキシブルに対応でき、必要な加工品質と加工速度に最適化した効率的なレーザー出力を提供します。さらにバーストモード発振が可能で、シングルレーザーパルスの代わりとなる短い時間幅でのパルス列を生成できます。
CEPHEUSは非常にコンパクトで使い易い空冷設計ですので、システム組込みも容易です。独自の光学コンセプトにより、産業分野での使用に耐える非常に高い安定性をもちます。
モデル | CEPHEUS 1050 | CEPHEUS 1016 | CEPHEUS 1012 | CEPHEUS 1002 |
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レーザータイプ | モードロック Nd:YVO4 | |||
最大平均出力 | 50 W @ 1 MHz | 16 W @ 500 kHz | 12 W @ 500 kHz | 3 W @ 100 kHz |
パルスエネルギー | > 300 μJ @ 100 kHz > 50 μJ @ 1 MHz | > 300 μJ @ ≤ 20 kHz > 120 μJ @ 100 kHz | > 250 μJ @ 20 kHz > 60 μJ @ 100 kHz | > 60 μJ @ 20 kHz > 20 μJ @ 100 kHz |
パルス幅 | < 15 ps | < 15 ps | < 15 ps | < 15 ps |
周波数範囲 | single shot – 1 MHz ※3 | single shot – 500 kHz ※1 | ||
ビーム品質 | TEM00 (M2 < 1.5) ※2 | TEM00 (M2 < 1.5) ※2 | ||
ビーム径 (出射口) | 1.0 ±0.1 mm mm | 0.6 ±0.1 mm mm | ||
冷却 | 水冷 | 空冷 | ||
寸法, L x W x H (mm) ; 重量 | ||||
レーザーヘッド | 700 x 362 x 220; 75 kg | 480 x 302 x 201; 38 kg | ||
レーザーコントロールユニット | 492 x 177 x 492; 23 kg | 492 x 177 x 492; 23 kg | ||
チラー | 483 x 400 x 663; 45 kg | – |
※1 1 MHz 時
※2 代表値 M2 < 1.3
※3 4 MHz まで可