Hi’Res-Cプローブはシリコンプローブよりも汚染が少なく、より多い枚数の高解像度スキャンの実行が可能です。
 
Hi’Res-Cは微小領域 (< 250 nm) の走査や、平坦なサンプル (Ra < 20 nm) の測定で顕著に能力を発揮します。
 
*本プローブは先端の曲率半径が小さいため、先端とサンプルの相互作用力は小さくなります。

CSInstrumentsのフラグシップモデルであるNano Observer AFMの、4インチサンプル対応のモデルが発売されました。もともとCSInstrumentsの得意とする導電性AFM（Resiscope Ⅱ）、ケルビンプローブフォース顕微鏡法（KFM）、走査型マイクロ波インピーダンス顕微鏡法（sMIM）などの機能に加え、4インチまでのサンプルに対応したため、半導体サンプルの評価に応用しやすくなりました。

ナノインデンテーション、フォーススペクトロスコピー、機能化研究、トレンチ深さ計測など。アプリケーションに最適な複数の種類のSPMプローブをラインナップ。特注についてもご相談ください。

コンパクトなサイズにSensofarの3-in-1テクノロジーを搭載した卓上型の3D形状測定装置

Pico STM / 5100 / 5500 / Mulimodeに新しい測定機能を追加し、進化させるAFMコントローラーです。

3D形状や表面粗さを測定、解析するための直感的で使いやすいソフトウェアパッケージを装置とセットで提供しています。

HQ:NSCプローブモデルには、磁気力顕微鏡（MFM)用のコーティングを施した製品もご用意しております。コーティングはチップサイドに膜厚60 nmのコバルト層があり、さらに酸化防止のクロムフィルム膜厚20 nmがカバーしています。トポグラフィーと磁気特性の安定した測定のためにカンチレバーのパラメーターは最適化されています。

CrabiAFMは、コンパクトで低価格な簡易原子間力顕微鏡（AFM）です。リサーチ用途、ナノ教育、またはすでにAFM経験をお持ちの方のサブ機として最適です。

新しい S neox は、性能、機能、効率、デザインの全ての面で既存の光学3Dプロファイリング顕微鏡を凌駕する、クラス最高の面形状計測システムです。

導電性プローブ
 
– Pt プラチナ、Cr-Au 金 コーティング
– 高分解能導電性　DPERシリーズ
– 低ノイズ導電性 DPEシリーズ

AFM 超高感度電流増幅器

高いスキャナー性能を持つハイエンドAFMです。老舗AFMメーカのハイエンド品並みの測定品質を持ちながら価格は1000万円を切り、非常にコストパフォーマンスの高いAFMとして注目されています。通常のAFMとしての機能のほか、電気特性測定（KFM、C-AFM)などに強みがあります。

S neox Five Axis 光学式3次元測定装置は、高精度回転ステージモジュールと、S neox 3D測定顕微鏡の高度な検査および解析機能を組み合わせています。これにより、指定された位置・角度で自動的に3D表面形状測定を行い、完全な3D形状計測が可能になります。

走査型熱顕微鏡(SThM)用アンプ “VertiSenseユニット” を既存のAFMと組み合わせることで、走査型熱顕微鏡測定が可能。ほとんどの市販AFM装置と互換。VertiSenseユニット専用 “VTPプローブ” は、チップ先端に熱電対センサを配置。温度感度0.01℃、最大700℃まで測定可能。

長寿命プローブ
 
– AFMプローブ HARDシリーズ
– AFMプローブ 導電性ダイヤモンドコーティング DMD-XSC11

最高の耐摩耗性と電気的性能を提供する高導電性ダイヤモンドプローブ（ダイヤモンドAFMカンチレバー）

従来のAFMの半分以下の低価格ながら、高いイメージング品質を発揮します。日本初上陸の高コストパフォーマンスAFMです。

金属単結晶・酸化物単結晶・合金単結晶試料の高品質品を高精度加工

チップレスシリーズは、チップの片側に異なるばね定数と共振周波数を持つ3つのチップレスカンチレバーを備えています。 本シリーズは以前の12シリーズに代わるものです。
チップレスカンチレバーは材料特性と相互作用の測定に使用できます。 ガラス球やポリスチレン粒子などをチップレスカンチレバーに取り付け、AFMのような実験に適用することができます。

シャープなシリコンプローブでAFM探針の試料表面接触時に直接視覚化可能。高い再現性、堅牢性、シャープさをもつナノ加工 高ドープ単結晶シリコンで高解像度イメージングを実現

窒化カンチレバー＆シリコンチップ構成のハイブリッドプローブ(Hydraシリーズ)と、カンチレバーとチップ両方とも窒化シリコン製のSPMプローブ(Nitraシリーズ)

位相イメージングは、異種材料や特性の不均一性を持つサンプルにおいて、ナノスケールの違いをイメージングするために用いられるAFM技術の一つです。位相コントラストは、チップとサンプル間の相互作用に基づきますが、これらの相互作用は、スキャンパラメーターや、イメージングの測定モード（原子間力の引力領域か斥力領域で捜査しているかなど）に依存します。O’DeaとBurratoは、位相イメージングを使用して、Nafion膜のプロトン伝導ドメインをマッピングしました。彼らは、先端とサンプルの間の特定の相互作用力がプロトン伝導ドメインの分解能に大きく影響することを発見しました。斥力レジームでのイメージングにより、ドメインの面積が大きめに表示され、ドメインの数が少なめに表示されました。引力領域でのイメージングにより、水やフルオロカーボンのドメインが最も正確に測定できました。AFMのフィードバックループが最適化されていない場合、またはカンチレバーが共振周波数を超えて駆動していた時、位相イメージングは組成の違いではなく、形状の変化に対応するイメージになりました。

高アスペクト比チップ SPMプローブ。スパイク高さ 1, 2, 4, 6µm。0°, 傾き角度補正 3°, 12°。