半導体製造 一覧

高精細マイクロ・ハンドディスペンサ

エンジニアリング・システム

実体顕微鏡下での手作業に最適なマイクロ・ハンドディスペンサ

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2μm 広帯域チューナブルレーザー “SuperTune-2000” 【NPI Lasers】

NPI Lasers

発振波長1900-2050 nm, バンド幅 <0.1 nm, 平均出力パワー>1 mW。2μm コンポーネント試験や産業センシング、分光、イメージングのための汎用光源に好適

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2μm 狭線幅ファイバレーザー “NL-2000-2MHz” 【NPI Lasers】

NPI Lasers

発振波長1900-2100 nm よりご指定, スペクトル線幅 < 2 MHz, 平均出力パワー> 100 mW (オプションで1Wまで可)。非常に狭いスペクトル線幅&高安定性で幅広い用途に適用可能。

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1.5μm ポンプレーザーモジュール“PUMP-1560”

NPI Lasers

発振波長1550-1570 nm からご指定, 平均出力パワー1 W / 1.5 W。ツリウムファイバレーザーのポンプ用 高安定性 CW レーザー光源に最適

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透明樹脂のレーザー溶着 2μm ファイバーレーザー “PowerWave2000シリーズ” 【NPI Lasers】

NPI Lasers

特殊な材料や前処理を必要とせずに、透明な樹脂のレーザー溶着を可能にします。コンパクト、低コストな産業向けファイバーレーザーです。
材料の特性に合わせて、1900nm - 2100nm から波長を指定できます。

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中赤外 2μm ツリウムドープ・ファイバアンプ“TDFA-2000 & TDFA-2000-HP” 【NPI Lasers】

NPI Lasers

ゲイン波長範囲 1880-2000 / 1900-2050 nm, 小信号利得 >19 dB or >27 dB, 飽和パワー 200 mW or >3 W。高い平均出力パワー&ブロードバンド・ゲイン。

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マルチチャンネル CW ファイバレーザー“plusWAVE2000”

NPI Lasers

発振波長1900-2100 nm, バンド幅 0.8 nm(代表値), 平均出力パワー10-100 mW。最大3波長を高い安定性で出力

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光ファイバ式温度センサ 【Photon Control】

Photon Control

高い精度と信頼性、素早いカスタム・プロトタイプ対応で半導体/OLED製造装置の温度計測に貢献します。
電磁波による影響を受けずに幅広い温度範囲で計測が可能です。

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ツインエアー方式高精細ディスペンサ Twin-airⓇ

エンジニアリング・システム

極微量滴下を可能にしたツインエアー方式。エンジニアリングシステム社独自技術のセルフサックバックで液だれ、濡れ上がり無し

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2μm CW ファイバレーザー“uniWAVE2000”

NPI Lasers

発振波長1900-2100 nm からご指定, バンド幅 0.8 nm (代表値), 平均出力パワー>10 mW。高安定性・簡便操作・低メンテナンス

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中赤外 2μm ピコ秒/フェムト秒ファイバレーザー“ML-2000-Legend & ML-2000-Osci”

NPI Lasers

中心波長 19xx nm, パルス幅 1~3 ps (フェムト秒可), 最大平均出力 100mW or 3W, 繰返し周波数 20-40 MHz。高出力パワー&高ピークパワー。安定性に優れた小型・軽量のワンボックス・デザ...

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中赤外 (MIR) ブロードバンド光源 “ASE-2000” 【NPI Lasers】

NPI Lasers

中心波長 1930±20 nm, バンド幅 (-20dB) >170 nm, 平均出力パワー>10 mW。広範な波長域と優れたパワー安定性。
光コンポーネントの試験、分光、ガスセンシング、バイ...

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静電吐出方式高精細ディスペンサ Q-Jet

浜松ナノテクノロジー

エアー式ディスペンサでは実現不可能な細線描画、ピエゾ式インクジェットでは不可能な高粘度吐出を可能にする従来の常識を覆した高機能パターニング技術。

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