Hi’Res-Cプローブはシリコンプローブよりも汚染が少なく、より多い枚数の高解像度スキャンの実行が可能です。
 
Hi’Res-Cは微小領域 (< 250 nm) の走査や、平坦なサンプル (Ra < 20 nm) の測定で顕著に能力を発揮します。
 
*本プローブは先端の曲率半径が小さいため、先端とサンプルの相互作用力は小さくなります。

高分解能・高速応答
動的変位測定のスタンダードモデル

高真空・超高真空対応プローブ
低アウトガス・高安定性・非磁性対応可能

シリーズ最高分解能・高速応答モデル
高速変位を高精度で測定

ピコオーダ、超高速(10MHz)、長作動距離(最大5m)、多様な材質や極端環境（超高真空、高磁場）に対応する変位測定干渉計【レーザー干渉式変位センサ】

導電性プローブ
 
– Pt プラチナ、Cr-Au 金 コーティング
– 高分解能導電性　DPERシリーズ
– 低ノイズ導電性 DPEシリーズ

HQ:NSCプローブモデルには、磁気力顕微鏡（MFM)用のコーティングを施した製品もご用意しております。コーティングはチップサイドに膜厚60 nmのコバルト層があり、さらに酸化防止のクロムフィルム膜厚20 nmがカバーしています。トポグラフィーと磁気特性の安定した測定のためにカンチレバーのパラメーターは最適化されています。

長寿命プローブ
 
– AFMプローブ HARDシリーズ
– AFMプローブ 導電性ダイヤモンドコーティング DMD-XSC11

測定用標準基板・テストサンプル・校正構造体
 
– AFM 校正用構造体 測定用標準基板 HOPG
– AFM 校正用構造体 TGXYZ
– AFM 校正用構造体 TGX
– AFM 校正用構造体 TGF11シリーズ

コンパクトなモジュールで優れた性能を実現
装置内への組込み専用モデル

本ページからMicroSense LLCの静電容量センサ全カタログをまとめてダウンロードできます。

位相イメージングは、異種材料や特性の不均一性を持つサンプルにおいて、ナノスケールの違いをイメージングするために用いられるAFM技術の一つです。位相コントラストは、チップとサンプル間の相互作用に基づきますが、これらの相互作用は、スキャンパラメーターや、イメージングの測定モード（原子間力の引力領域か斥力領域で捜査しているかなど）に依存します。O’DeaとBurratoは、位相イメージングを使用して、Nafion膜のプロトン伝導ドメインをマッピングしました。彼らは、先端とサンプルの間の特定の相互作用力がプロトン伝導ドメインの分解能に大きく影響することを発見しました。斥力レジームでのイメージングにより、ドメインの面積が大きめに表示され、ドメインの数が少なめに表示されました。引力領域でのイメージングにより、水やフルオロカーボンのドメインが最も正確に測定できました。AFMのフィードバックループが最適化されていない場合、またはカンチレバーが共振周波数を超えて駆動していた時、位相イメージングは組成の違いではなく、形状の変化に対応するイメージになりました。

優れた温度特性と高分解能を実現
制御用途でのフィードバックセンサに最適

優れた直線性と温度特性
静的な変位測定のスタンダードモデル

チップレスシリーズは、チップの片側に異なるばね定数と共振周波数を持つ3つのチップレスカンチレバーを備えています。 本シリーズは以前の12シリーズに代わるものです。
チップレスカンチレバーは材料特性と相互作用の測定に使用できます。 ガラス球やポリスチレン粒子などをチップレスカンチレバーに取り付け、AFMのような実験に適用することができます。