測定用標準基板・テストサンプル・校正構造体

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測定用標準基板・テストサンプル・校正構造体
 
– AFM 校正用構造体 測定用標準基板 HOPG
– AFM 校正用構造体 TGXYZ
– AFM 校正用構造体 TGX
– AFM 校正用構造体 TGF11シリーズ

AFM 校正用構造体 測定用標準基板 HOPG

AFM 校正用構造体 測定用標準基板 HOPG

高次熱分解グラファイト(HOPG)は積み重ねられた平面で構成された層状の材料です。1つの平面内の炭素原子は隣接する平面内の炭素原子よりも強く相互作用します。平面内の各原子には3つの最近傍があり、ハニカムのような構造になっています。この原子一層分の膜厚を持つ平面を “グラフェン” と呼びます。
 
グラフェン層で終端されたHOPGはSPM測定基板や、原子的に理想的な表面の平坦さを持つため測定の標準として使用されます。HOPG表面が滑らかで劈開可能な材料であり、均一で平坦かつ綺麗な基板を必要とするSPM測定に不可欠なものです。
 

  • 測定用標準基板
  • 校正用構造体

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AFM 校正用構造体 TGXYZ

AFM 校正用構造体 TGXYZ

キャリブレーショングレーティングは、シリコンウェーハ上の長方形の二酸化シリコンステップを構成するさまざまな構造のアレイです。 中心の500µm x 500µmの領域には、円柱と穴、X・Y方向のラインアンドスペースが、5µmのピッチで作りこまれています。その外側には、正方形の柱と穴の構造が10µmピッチで配置されています。
 
TGXYZ校正格子はSPMスキャナーの垂直校正用および水平校正用の格子です。
垂直方向の非線形性は、公称ステップの高さが異なる複数の校正格子を使用することにより補正が可能です。
 

  • AFM校正用構造体
  • SPMスキャナー校正

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AFM 校正用構造体 TGX

AFM 校正用構造体 TGX

TGXはシリコンの校正格子です。シリコンの結晶面に沿って、異方性エッチングによって形成された鋭いアンダーカットエッジを持つ正方形の穴の配列です。 エッジの一般的な半径は5nm未満です。
 
TGXキャリブレーショングレーティングは、チップアスペクト比の決定およびSPMスキャナーの横方向キャリブレーションを目的としています。 格子は、横方向の非線形性、ヒステリシス、クリープ、クロスカップリング効果の検出にも使用できます。
 

  • シリコン校正格子

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AFM 校正用構造体 TGF11シリーズ

AFM 校正用構造体 TGF11シリーズ

TGFキャリブレーショングレーティングはシリコン基板にエッチングされた台形ステップの1次元アレイを備えています。構造の側壁は非常に平滑であり、単結晶シリコンの結晶面によって配向が明確に定義されています。側壁と水平上面は54.74°の角度になります。
 
TGF11グレーティングは、垂直方向のスキャナー非線形性の評価に使用できます。横力の直接校正は、平坦なファセットと傾斜したファセットで測定された接触応答を分析することで得られます。 2µmまでの任意の曲率半径を持つコロイド粒子が取り付けられた従来のSiプローブまたはカンチレバーのキャリブレーションが実行できます。
 

  • AFM校正用構造体キャリブレーショングレーティング

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AFM 校正用構造体 測定用標準基板 HOPG

モザイクスプレッドでグレードは3種(ZYA、ZYB、ZYH)
モザイクスプレッドは配向性を示し、小さい数値ほど高い配向性を持ちます。
 
各グレードのモザイクスプレッド
 

  • ZYA: (0.4° ±0.1°)
  • ZYB: (0.8° ±0.2°)
  • ZYH: (3.5° ±1.5°)

 

品番 寸法,チップ数 モザイクスプレッド
HOPG/ZYA/DS/1-1 10x10x1mm, 1chip 0.4° ±0.1°
HOPG/ZYA/DS/2-1 10x10x2mm, 1chip 0.4°±0.1°
HOPG/ZYB/DS/1-1 10x10x1mm, 1chip 0.8° ±0.2°
HOPG/ZYB/DS/2-1 10x10x2mm, 1chip 0.8° ±0.2°
HOPG/ZYH/DS/1-1 10x10x1mm, 1chip 3.5° ±1.5°
HOPG/ZYH/DS/2-1 10x10x2mm, 1chip 3.5° ±1.5°
HOPG/ZYH/DS/1-5 10x10x1mm, 5chips 3.5° ±1.5°
HOPG/ZYH/DS/2-5 10x10x2mm, 5chips 3.5° ±1.5°

*厚さが1 mm以上の両面HOPGにはいくつかのグレードがあります。
 

伝導性 数値範囲
熱伝導率(平行方向) 1700 ± 100 W/(m·K)
熱伝導率(垂直方向) 8 ± 1 W/(m·K)
導電率(平行方向) 2.1 ± 0.1 x 106 [(Ω·m)-1]
導電率(垂直方向) 5 x 102 [(Ω·m)-1]

*密度:2.266 g/cm3

AFM 校正用構造体 TGXYZ

 

品番 ステップ高さ 高さ精度
(accuracy)
ピッチ ピッチ精度
(accuarcy)
有効エリア
(active aera)
チップ寸法
TGXYZ01 20nm 2% 5µm and 10µm 0.1µm 1x1mm 5x5x0.3mm
TGXYZ02 100nm 3% 5µm and 10µm 0.1µm 1x1mm 5x5x0.3mm
TGXYZ03 500nm 3% 5µm and 10µm 0.1µm 1x1mm 5x5x0.3mm

AFM 校正用構造体 TGX

  • 品番: TGX
  • 有効エリア(Active Area): 1 x 1 mm
  • チップ寸法: 5 x 5 x 0.3 mm
  • エッジ半径: < 5nm
  • ピッチ: 3µm
  • ピッチ精度: 1µm
  • ステップ高さ: *1µm(*印は参考値)
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注意:TGXYZ、TGX、TGF11シリーズは、ø12mmの円形金属プレート上に固定されたマウント品と未マウント品があります。ご注文の際にご希望の仕様をお伝えください。

AFM 校正用構造体 TGF11シリーズ

  • 品番: TGF11
  • 有効エリア(Active Area): 3 x 3 mm
  • チップ寸法: 5 x 5 x 0.3 mm
  • ピッチ: 10µm
  • ピッチ精度: 0.1µm
  • ステップ高さ: *1.75µm(*印は参考値です)
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