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DUVアルゴンレーザー/DUVクリプトンレーザー“Lexel QUANTUM SHG”

Cambridge Lasers Laboratories (Lexel Laser)

高安定性で使い易い周波数ダブリング・イオンレーザーシステム。マルチライン 457.9~528.7nm(Ar), 568.2~676.4nm(Kr)+BBO結晶ベースSHGによるDUV出力。

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定量的フォーススペクトロスコピー SPMプローブ

AppNano

ナノインデンテーション、フォーススペクトロスコピー、機能化研究、トレンチ深さ計測など。アプリケーションに最適な複数の種類のSPMプローブをラインナップ。特注についてもご相談ください。

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高繰り返しパルス Ti:Sapphireレーザー

Sirah Lasertechnik

広いチューニングレンジ、高いパルスエネルギー、狭線幅のコンパクト・ナノ秒パルス・チタンサファイアレーザー。波長域690~1010 nm、最大出力パワー2.5 W or 6.8 W (モデル依存。ピーク波長)、線幅30~50 ns、繰返し周波数1~3 kHz または 1~10 kHz。

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1.5μm ポンプレーザーモジュール“PUMP-1560”

NPI Lasers

発振波長1550-1570 nm からご指定, 平均出力パワー1 W / 1.5 W。ツリウムファイバレーザーのポンプ用 高安定性 CW レーザー光源に最適

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動的光散乱法 粒度分布測定装置 NANOPHOX

Sympatec

一般的な動的光散乱法とは異なり、光源とセンサを2つずつ用いる「クロスコリレーション法」を採用しています。そのため、高濃度な試料でも多重散乱の影響を排除した正確な測定が可能です。(測定範囲 0.5 nm~10 μm)

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超小型半導体レーザーモジュール“LuxX”

Omicron Laserage Laserprodukte

バイオ、産業用途に最適なコンパクトなCW LDモジュール。紫外375nm~赤外1550nm。最大300mW出力。

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NanoTest Xtreme 高温対応ナノインデンター

Micro Materials

-100~1000℃の温度範囲で薄膜の機械特性(硬度、ヤング率等)を測定できる唯一の装置

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AT1 ガラス基板欠陥検査装置

Lumina Instruments
[新商品]

Lumina Instruments社のAT1は、他に類を見ない水準の、高速・高感度レーザスキャニング欠陥検査装置です。

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Qスイッチ半導体励起固体レーザー“CL-200シリーズ”

Canlas

コンパクト・高い安定性・高繰返し。3波長ラインナップ(1064, 532, 355 nm)。最高12W出力。繰返し 1-100kHz。最小パルス幅 20ns

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HART 高アスペクト比チップ SPMプローブ

AppNano

高アスペクト比チップ SPMプローブ。スパイク高さ 1, 2, 4, 6µm。0°, 傾き角度補正 3°, 12°。

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LIBS元素分析システム(ラボ向けモデル)

SECOPTA

生産ライン近くの分析室や分析ラボ向けのスタンドアローンLIBS元素分析装置
スラグ、コンクリート、金属などの迅速分析や元素マッピング分析に最適

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極低温対応ナノ位置決めステージ

attocube systems

極低温環境対応の非磁性ピエゾ駆動ナノポジショナー

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本質安全防爆 雷免疫 光ファイバ式 Eストップ MR387

Micronor

MR387シリーズ Eストップは、光ファイバを使用した完全にパッシブなEストップです。爆発性雰囲気、長距離、雷免疫、RFI、EMI が要求される場所に最適です。最大10km 離れた場所でも使用可能です。

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OEMコントローラ MR380-0

Micronor

MR380-0-1コントローラは、MR380 シリーズ ZapFREE® 光ファイバシグナリング製品を使用するOEMユーザ向けです。

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パルスコンプレッサモジュール COMPRESS

Amplitude Systemes

ピコ秒/サブピコ秒パルスレーザーシステムのパルス幅を大幅に短縮するモジュール。最高のスループット効率、良好なビーム品質、高い安定性。入力パルス幅 < 150 fs to 1 psを数サイクルパルスまで短縮可能。対応波長 1030 nm, 515 nm

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2μm CW ファイバレーザー“uniWAVE2000”

NPI Lasers

発振波長1900-2100 nm からご指定, バンド幅 0.8 nm (代表値), 平均出力パワー>10 mW。高安定性・簡便操作・低メンテナンス

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最大500μJ出力 高機能フェムト秒/ピコ秒レーザー Tangor

Amplitude Systemes

革新的なファイバアンプ技術によるコンパクト、ハイパワー、高エネルギー、高繰り返しのフェムト秒/ピコ秒ファイバレーザー。パルス幅 最短 500 fs – 10 ps、繰返し周波数 single shot to 40MHz、最大平均出力 100W、最大パルスエネルギー 500 µJ。

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本質安全防爆 アブソリュートロータリーエンコーダ MR332

Micronor

MR332 シリーズ ZapFREE® 光ファイバアブソリュート位置センサは、0°から360°までの絶対角度位置を0.025°の分解能で測定します。

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高出力レーザー用非接触ビームプロファイラ“BeamWatch”

Ophir

BeamWatch™ ビームウォッチ 非接触・集光スポット径・ビーム位置計測ビームモニタリングシステム。測定パワー範囲 400W – 100kW。波長 980-1080 nm

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中赤外 2μm ツリウムドープ・ファイバアンプ“TDFA-2000 & TDFA-2000-HP”

NPI Lasers

ゲイン波長範囲 1880-2000 / 1900-2050 nm, 小信号利得 >19 dB or >27 dB, 飽和パワー 200 mW or >3 W。高い平均出力パワー&ブロードバンド・ゲイン。

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NKT Photonics社 産業用途ピコ秒/フェムト秒レーザー

NKT Photonics

NKT Photonics社では産業用途向け光源として、パルス幅はピコ秒からフェムト秒、また出力パワー 最大 100 W までのさまざまなウルトラファーストレーザーを製造しています。繰返し周波数は、可変と固定、またシングルショットパルスやバーストモードを選択でき、アプリケーションに最適な超高速レーザーを提供いたします。
多彩な標準モデルだけでなく、OEMにも対応いたします。 お気軽にお問合せください。

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プロセスフォトメータ(濁度・SS濃度計) ”NBP007″

KEMTRAK

高濃度対応 インラインSS(浮遊物質測定)・濁度 計測
後方光散乱方式採用
過酷な環境下でもメンテフリーで使用可能な堅牢デザイン

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SPMシリコンプローブ

AppNano

最高品質の低抵抗(0.01〜0.025Ω-cm) n型アンチモンドープ単結晶シリコン製。実績の高いシリコン技術と新しい微細加工プロセスにより、シャープなチップを具備した高品質モノリシックプローブを実現。ほとんどの市販AFM装置と互換。

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プロセスフォトメータ(濃度・色モニタ) ”DCP007″

KEMTRAK

インライン用の吸光光度計。プロセスの濃度・色測定に最適。
過酷な環境下でもメンテナンスフリーで使用することのできる堅牢なデザイン。

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