最高品質の低抵抗(0.01〜0.025Ω-cm) n型アンチモンドープ単結晶シリコン製。実績の高いシリコン技術と新しい微細加工プロセスにより、シャープなチップを具備した高品質モノリシックプローブを実現。ほとんどの市販AFM装置と互換。

CWレーザー測定対応。波長精度 最高±0.0001nm。1台で波長測定＆スペクトル分析が可能。可視光(VIS)から中赤外(MIR)領域まで (375nm to 12μm) の波長域をカバー。マイケルソン干渉計ベース。パルスレーザー(>50kHz)の測定が可能。

日本レーザーでは用途に応じて様々なAFM（原子間力顕微鏡）を取り揃えております。

リアルタイムで質量変化と粘弾性、膜厚を分析高性能で低価格

レーザーマーキングシステムへの搭載用レーザーマーカー。独立型＆コンプリートシステムで他のアセンブリラインや特殊マシンへの組み込みにも最適。

最大1000W、mJエネルギー出力。繰返し 最高100MHz。フェムト秒～ピコ秒パルスのコンパクト、堅牢、高安定性なターンキーシステム

従来のFT-IRに代わる、次世代の赤外分析技術、QCL-IRを採用した小型のガス・溶液用赤外分析装置です。QCL-IRは最大10HzでIRスペクトルを取得することができ、従来技術に比べはるかに高速で安定しています。その測定速度を活かし、リアルタイムでの濃度モニタリングが可能です。また、輝度が高く、少量サンプルでも分析可能です。Culpeo® QCL-IR液体分析器　バイオプロセス分析・液体クロマトグラフィー・ワクチン関連の分析に最適です。

波長範囲 1880-2000 / 1900-2050 nm, 平均出力 >100 mW /1.3 W。 幅広いゲイン波長域、低ノイズ、優れた出力安定性を有します。

Fura-2カルシウムイメージング用に特化したLED光源。ランプ光源で実現できない高出力、高安定性、素早い波長切替を実現します。

CSInstrumentsのフラグシップモデルであるNano Observer AFMの、4インチサンプル対応のモデルが発売されました。もともとCSInstrumentsの得意とする導電性AFM（Resiscope Ⅱ）、ケルビンプローブフォース顕微鏡法（KFM）、走査型マイクロ波インピーダンス顕微鏡法（sMIM）などの機能に加え、4インチまでのサンプルに対応したため、半導体サンプルの評価に応用しやすくなりました。

破片粒子の少ないレーザー切断を実現。リチウムイオン電池の電極加工に好適。

溶接のアークや炎の光の中を可視化する溶接可視化システム

シリコンナイトライドカンチレバー・チップのガラスホルダーチップの両側に2つ配置。用途としてソフトコンタクトモードで使われます。

高出力（最大10W）で狭線幅（sub-kHz）の単一周波数レーザー。周波数変換により波長ラインナップが増えました。位相と強度の両ノイズを抑制。TEC搭載。ルビジウム、ストロンチウム、バリウム、イッテルビウムの波長に正確に対応でき、最先端の量子アプリケーションに最適です。

ナノ秒レーザー加工、OEM組込みに最適。金属、プラスチック、セラミック、ガラスなど多彩な素材に適用できる高い平均出力：最大200W。1064 nm or 532 nm。繰り返し 1-100 kHz, CW

世界最高クラスの1PW級ピーク出力を実現。信頼性の高い超高強度フェムト秒レーザー。最大25J。パルス幅 20fs以下。繰返し周波数 最高5Hz

高い柔軟性＆高速。種々のマーキングやパルス微細加工に最適なナノ秒パルスファイバレーザー

最大出力パワー 400W。最大パルスエネルギー 15mJ。OPCPAポンピングや材料加工に好適。

高繰返し 最大4000Hz。3波長ラインナップ（1064, 532, 355 nm）。最大出力 4W＠4kHz。パルス幅 8-10ns

インライン用の吸光光度計。プロセスの濃度・色測定に最適。
過酷な環境下でもメンテナンスフリーで使用することのできる堅牢なデザイン。

BeamWatch™ ビームウォッチ 非接触・集光スポット径・ビーム位置計測ビームモニタリングシステム。測定パワー範囲 400W – 100kW。波長 980-1080 nm

最大５波長のDPSS / LDレーザーモジュール（375～808 nm）をコンパクトパッケージに格納。1波長当り最大2500mW

非接触・非破壊で表面の微細な3D形状、および粗さを測定・解析することができる形状計測装置です。

100W程度の中出力タイプから最大1600Wの高出力まで、複数のモデルをラインナップ。目的に応じて最適なソリューションをご提案します。