SiC GaN ウエハ フォトルミネセンス マッピング対応 高速レーザー欠陥スキャナー Celero PL

Onto Innovation (旧Lumina Instruments)

新商品

Celero PLシステムはフォトルミネセンス マッピングに対応した高速レーザー欠陥スキャナーです。炭化ケイ素(SiC)および窒化ガリウム(GaN)ベースのウエハと化合物半導体材料の表面下欠陥検査とクラス分け機能のニーズに応えるように開発されました。。さまざまなウェーハ処理オプションが用意されており、クラス最高のスループットと感度を備えながら、1パスあたりのコストを最小限に抑え、研究開発と大量生産の双方の対応します。

SiC GaN フォトルミネセンス マッピング対応 高速レーザー欠陥スキャナー Celero PLとは

Celero PLシリーズはフォトルミネッセンス(PL)マッピングに対応した、炭化ケイ素(SiC)および窒化ガリウム(GaN)ベースのウエハと化合物半導体材料の表面下欠陥検査および分類機能のニーズを満たすように設計されています。様々なウエハハンドリングオプションをご用意しており、クラス最高のスループットと感度を提供しながら、1パスあたりでのコストを最小限に抑え、研究開発および大量生産の両方のニーズにお応えします。
 

フォトルミネッセンス(PL)マッピングとは

フォトルミネッセンス(PL)マッピングは、急速に成長する化合物半導体の市場セグメントで使用される主要な歩留まり予測指標です。これは主にバルクおよびエピタキシャル層の表面下欠陥を対象とした欠陥検査技術です。本技術は、OEMで装置に搭載されたり、またウエハレベルの結晶欠陥を研究するR&Dラボでも使用されています。

Celero PLシステムの仕組みと検出内容

Celero PLシステムは、カスタム光学系と画像処理アルゴリズムを活用したレーザーベースの位相差検出とイメージング機能を利用し、急速に成長する化合物半導体市場において、幅広い材料とウエハサイズでクラス最高のスループットと感度を実現します。複数の光源とセンサーチャンネルを活用することで、バルクウエハやエピタキシャル層、表面のパーティクル、スクラッチ(傷)、ピット(くぼみ)、表面汚染(コンタミネーション)、シミ、ポイントまたはバルクウエハの応力、ウエハエッジのチップやクラックを含むボイド(空隙)/介在物などに関連する、さまざまな表面下の結晶欠陥を検出、測定、画像化することが可能です。
 

 Celero-PL-シミ-トップとボトム celero-PL-洗浄後の水しみ汚れCelero-PL-表面傷
上面のシミと底面のシミ洗浄後の水しみ汚れ表面傷


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SiC GaN フォトルミネセンス マッピング対応 高速レーザー欠陥スキャナー Celero PLの特長と利点

  • 対応ウェハサイズ 100-300mm
  • 5つの検出チャンネル
     - フォトルミネッセンス、偏光、スロープ、BF(明視野)、DF(暗視野)
  • サブナノメーター感度の全表面スキャン(FS/BS/Edge)とイメージング
  • 粒子欠陥 (≥90nm PSL) / 表面汚染 (≥5Å)
  • SiCウエハ
     - パーティクル / ステイン / スクラッチ / ピット / 積層欠陥 / KOH
  • SiCエピ
     - キャロット / トライアングル / 基底面転位 / ピット / ボイド
  • 基板-エピタキシャル層欠陥マッピング(サブ欠陥マッピング)
  • 薄いウエハ(≥100μm)および厚ウェーハ(≤10mm)
  • 最小限のウエハエッジコンタクトによる非スピニング
  • 複数のハンドリングオプション
     - ウエハ、フィルムフレーム
  • 複数のロードオプション
     - 手動、自動オープンカセット、EFEM
  • オンラインおよびオフラインレビュー機能
  • 自動画像欠陥分類

フォトルミネセンス マッピング対応 高速レーザー欠陥スキャナー Celero PL応用例

  • FS / BS / エッジ / 表面欠陥と汚染
  • AR/ VR / MR材料と構造
  • 炭化ケイ素(SiC)基板およびエピタキシャル層における結晶欠陥性
  • 窒化ガリウム(GaN)ウエハおよびエピタキシャル層の結晶欠陥性
  • 厚いウェハー/シードウエハの表面と表面下の欠陥性
  • ウエハベースのマイクロLED/VCSEL/EEレーザー材料
  • ウエハ全体および点応力マッピング
  • ウエハチャック汚染
  • ヘイズ検出と計測
  • 反り/反りウェハ計測
  • 薄膜ウェハ検査(フィルムフレームの取り扱いを含む)

Celero PL事例画像

 Onto Innovation Celero PL 端破損Onto Innovation Celero PL ステップバンチチング
端部分の破損ステップバンチング
 Onto-Innovation-Celero-PL-有機物表面汚染
ベアウエハのトポグラフィー有機物による表面の汚染
 Celero PLスラリー泥状汚染Celero PL欠陥引き起こした線状ストレスの偏光イメージ
スラリー泥状汚染欠陥引き起こした線状ストレスの偏光イメージ
 Onto Innovation Celero PL 積層欠陥Onto Innovation Celero PL 基底面転移 Onto Innovation Celero PL 表面くぼみ  Onto Innovation Celero PL ストレスが引き起こした欠陥
積層欠陥基底面転移表面くぼみストレス起因の欠陥
 Onto Innovation Celero PL 三角形状の欠陥Onto Innovation Celero PL 微細なくぼみの集まり Onto Innovation Celero PL 研磨後に出現したマイクロパイプ
三角形状の欠陥微細なくぼみの集まり研磨後に出現した
マイクロパイプ

仕様

      

  • 対応ウエハサイズ: 100 – 300 mm
  • 5つの検出チャンネル:フォトルミネッセンス、偏光、スロープ、明視野、暗視野
  • 全表面スキャン(FS/BS/Edge)とサブナノメーター感度のイメージング
  • 粒子欠陥(≧90nm PSL)/表面汚染(≥5Å)
  • 薄型(≥100µm)および厚型(≦10mm)ウエハ
  • 複数のハンドリングオプション:ウエハ、フィルムフレーム
  • 複数のロードオプション:マニュアル、自動オープンカセット、EFEM
  • オンラインおよびオフラインレビュー機能
  • 画像ベースの自動欠陥分類
  • Discover®エコシステムとの互換性
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