ビームプロファイラ装置一覧

Duma Optronics

CW&パルス対応の高分解能CCDタイプと低コスト&広帯域のナイフエッジ式

CW&パルス対応の高分解能CCDタイプと低コスト&広帯域のナイフエッジ式
  • ビーム幅、ビーム形状、ビーム位置、パワー、強度プロファイ ルなどを測定
  • CCDタイプ:
     

    • CW、パルス両方の極小ビームをサブミクロンレベルでリアルタイム計測
    • ダイナミックレンジの制限を克服し、微弱ビームのビーム構造も高精度に測定
  • ナイフエッジ式:
     

    • 高い分解能とハイダイナミックレンジを同時に達成
    • 独自の断層画像再構成技術により2D/3Dの水平強度分布マップを生成

ハイパワータイプは こちら「ハイパワー・ビーム分析装置一覧」

CCDタイプ・ビームプロファイラ装置

CCDタイプのレーザービームプロファイラは、CW、パルスの両レーザーについてリアルタイム計測が可能です。Duma Optronics社の製品は、多彩なグラフィック機能とビームパラメータ分析を備えており、ビーム幅、ビーム形状、ビーム位置、パワー、強度プロファイルなどを測定できます。
 
CCDタイプのレーザービームプロファイラは、USBインタフェース付きのビデオカメラを用いて、レーザービームの2次元強度分布の分析、表示、保存を行います。Duma Optronics社のCCDビームプロファイラは、カメラタイプのビームプロファイラにありがちなダイナミックレンジの制限を克服し、ビームを複数回サンプリングすることで微弱ビームのビーム構造も高精度に測定します。各測定は光減衰量や電子シャッター速度を変えて行います。この特許技術により、レーザーの最大パワー密度の1%未満まで表示することができます。
 
ビームプロファイラのシリーズには、極小ビーム計測のための特殊なモデルもご用意しています。CCDセンサと高倍率オプティクス、PC技術を組み合わせ、CW、パルス両方の極小ビームをサブミクロンレベルでリアルタイム計測できます。
 
CDピックアップ、LD、ピックアップレンズや光学部品の調整など、ビームの品質や形状がシステム性能に影響するようなアプリケーションや、極小ビームの分析などに好適です。

ナイフエッジ式ビームプロファイラ装置

Duma Optronics社のナイフエッジ式ビームプロファイラは、種々の断面角度でビームプロファイルを計測し、その後独自の断層画像再構成技術により2D/3Dの水平強度分布マップを生成します。高い分解能とハイダイナミックレンジを同時に達成しながら、低コストでレーザービームのリアルタイムコントロールが可能です。アプリケーションに応じて、ディテクタヘッドをSi、UV-Enhanced、InGaAsからお選びください。
 
スキャン面の後方に設置した光フィルタにより、逸脱ビームを低減します。システムは省スペースで操作が簡便ですので、産業用途にも最適です。高分解能 12bit A/Dサンプリング用にUSB2.0インタフェースが装備されており、またRS232やTCP/IPによるデータストリーミングが可能です。

CCDタイプ・ビームプロファイラ装置ラインナップ

高分解能モデル BeamOn U-3E

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高分解能モデル BeamOn U-3E

  • ピクセルサイズ:5.86μm x 5.86μm
  • センサ有効エリア:11.34mm x 7.13mm
  • 波長:350-1310 nm(VIS NIR), 190-1350 nm(UV)
  • 感度:~1nW/mm2 @633nm and 980nm, 200μW/mm2
  • CW&パルス

大口径モデル BeamOn X-E

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大口径モデル BeamOn2/3

  • ピクセルサイズ:2.4μm x 2.4μm
  • センサ有効エリア:7.4mm (W) x 5mm (H)
  • 波長:350-1310 nm
  • 感度:~0.5 nW/cm2 @ 633nm, ~15,000 nW cm2 @ 1310 nm ( 15 μ W/ cm 2 )
  • CW&パルス

極小ビーム用モデル μBeam HP

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極小ビーム用モデル μBeam

  • ビームサイズ:10 μm – 0.3 mm
  • パワーレベル:最大100W (ビーム <10μm ), 最大1.5kW(ビーム >10μm)
  • 波長:350 – 1310 nm

IR向けビームアナライザー Beam Analyzer IR10

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反射ビームサンプラー Reflective Beam Sampler写真

  • ビーム径:φ15μm – φ9 mm
  • 波長:IR 800 – 1800 nm
  • パワー範囲:100μW to 5mW(フィルター無)
  • CWのみ

ナイフエッジ式ビームプロファイラ装置ラインナップ

ナイフエッジ式ビームプロファイラ Beam Analyzer

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ナイフエッジ式ビームプロファイラ Beam Analyzer

  • PCベースシステム:マニホールドボックス+測定ヘッド+ソフトウェア
  • ビームサイズ:3μm to 9mm
  • 波長:50-1100nm(Si), 190-1800nm(UV-Si),
    800-1800 nm(IR), 1200-700 nm(IR-Enhanced)
  • パワー範囲:10μW to 5mW (フィルター無)
  • CWのみ

M2計測モデル M2Beam HP

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M2計測モデル M2Beam

  • M2値、ウェスト径/位置の計測が可能
  • 最大ビーム径:16mm
  • 波長:190 – 1800 nm
  • パワー範囲:100μW to 1W
  • CWのみ

ビームサンプラー

反射ビームサンプラー Reflective Beam Sampler

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反射ビームサンプラー Reflective Beam Sampler写真

  • 偏光保持ビームサンプラー
  • 波長:250 – 2000 nm
  • 開口径:8×8 ㎜
  • 最小光学距離(入力からサンプル表面):25 ㎜
  • 推奨最大NA:0.2
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