OCI-V／OLI／OCI 光ベクトル解析・光リンク診断システム

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ETSCマイクロデバイス

シリコンフォトニクス・光デバイス向けの高精度光計測装置シリーズ。光ベクトル解析による損失・分散・偏波測定から、μm精度の光リンク診断・断点検出まで、研究開発から製造検査までを高速・高精度にサポートします。

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シリコンフォトニクス向け高精度光計測システム

光の性質を多角的に解析する光ベクトル解析システム「OCI-V」、光ファイバーリンクの障害・欠陥を高精度に診断する「OLI」「OCI」の各システムにより、挿入損失・分散・偏波特性の測定から、断点・微小欠陥の位置特定までを一括してカバーします。

OCI｜光導波路・光リンクの欠陥や損失を高分解能解析光リンク診断装置

OCIは、光周波数領域反射（OFDR：Optical Frequency Domain Reflectometry）技術を用いた高分解能光リンク診断システムです。単一の測定で光デバイスから光リンクまでを包括的に診断することが可能で、フォトニックデバイスの研究開発および評価に最適です。イベントポイントの位置特定精度は最大0.1 mmに達し、光ファイバーリンク内のマクロベンド、接続点、断線などを高精度に検出できます。また、挿入損失やリターンロス、スペクトルなどの光パラメータを正確に測定することが可能です。さらに、オプションの分布型光ファイバーセンシング機能により、光ファイバーに沿ったひずみおよび温度分布の高分解能測定にも対応します。光通信デバイス評価、シリコンフォトニクス研究、光リンク診断など幅広い用途に対応する測定装置です。

主な特長

OFDR技術による高精度測定
イベントポイント位置特定精度：最大0.1 mm
1525～1625 nm または 1265～1340 nm
高空間分解能：10 μm（50 m測定時）／20 μm（100 m測定時）
セルフキャリブレーション機能
高い測定安定性
拡張機能：分布型光ファイバーセンシング（ひずみ・温度測定）／ソフトウェアおよびハードウェアのカスタマイズ対応

アプリケーション例

シリコンフォトニクス（SiPh）チップ評価
光導波路およびPLCデバイス測定光デバイス
光モジュール測定
光ファイバー長測定
スペクトルおよび群遅延測定
光リンク診断および欠陥検出
分布型光ファイバーセンシング（ひずみ・温度測定）
構造ヘルスモニタリング

OCI-V｜光デバイスの損失・分散・偏波特性を高精度に測定光ベクトル解析装置

OCI-Vは、光デバイスおよびフォトニック集積回路（PIC）の光特性を高精度に評価するための光ベクトル解析システムです。線形波長掃引レーザーとコヒーレント検出技術を組み合わせることで、光デバイスの詳細な伝送特性を測定することができます。被測定デバイス（DUT）のジョーンズ行列（Jones matrix）を取得することで、挿入損失、群遅延、波長分散、偏波依存損失（PDL）、偏波モード分散（PMD）などの光パラメータを高精度に算出します。独自の光学設計および高度な解析アルゴリズムにより、高速測定とセルフキャリブレーション機能を実現しており、シリコンフォトニクスデバイス、光導波路デバイス、光ファイバーデバイスなどの研究開発および評価に最適な測定システムです。

主な特長

高精度光特性測定：ジョーンズ行列（Jones matrix）測定／挿入損失、群遅延、分散、PDL、PMD測定
高速測定：主要光パラメータを1秒以内で取得
広い波長範囲：C+Lバンド／Oバンド対応
高い測定安定性：セルフキャリブレーション機能／高安定コヒーレント測定
長距離測定：最大200 m

アプリケーション例

シリコンフォトニクス（SiPh）デバイス評価
フォトニック集積回路（PIC）特性測定
平面導波路デバイス測定
光ファイバーデバイス評価
光フィルターおよび光増幅器評価
可変光デバイスの特性測定
光通信デバイスの研究開発

OLI｜光導波路・光リンクの欠陥位置を高精度に特定光リンク検査装置

OLIは、光リンクおよび光デバイスの欠陥検出を目的とした光リンク検査システムです。低コヒーレンス干渉（Low Coherence Interferometry）技術を用いることで、光ファイバーや光導波路デバイス内に存在する欠陥位置を高精度に特定することができます。光リンク中に発生する微小欠陥や異常イベントを検出し、その位置を高精度に特定することで、光デバイスおよび光リンクの品質評価や故障解析を効率的に行うことが可能です。シリコンフォトニクスデバイス、PLC導波路、光ファイバーリンクなどの研究開発および品質評価に適しており、光リンク診断やトラブルシューティングなど幅広い用途に対応します。