780nm & 785nm 単一周波数 CW DPSSレーザー　780 NX / 785 NX

近赤外（780nm または 785nm）CW DPSSレーザーで、狭線幅（< 300 kHz）、非常に低い強度ノイズ（< 0.3% RMS）、回折限界TEM00ビーム、M² < 1.2、高いスペクトル純度、フィルタ不要のクリーンビームを実現。 780nm モデルは量子技術開発におけるルビジウム遷移（Rb 85, Rb 87）の精密な測定と制御に、785nm モデルは高解像度・高コントラストのラマン分光に最適です。

超高安定性＆狭線幅 780nm / 785nm 単一周波数 CWレーザー

Skylark Lasers（スカイラーク・レーザー）社のNXシリーズは、コンパクトで安定性に優れた、単一周波数ダイオード励起固体（DPSS）レーザーです。動作寿命が長く、スペクトル純度の高い光を提供します。
独自の光学アーキテクチャと密閉シールドパッケージによって、長期にわたり極めて安定した動作と性能を保持します。要求の厳しい組込み用途にも好適な、非常に堅牢で耐久性の高いシステムです。システム統合を想定して設計された汎用性の高いソフトウェア制御機能が搭載されており、最先端の量子センシングや高度なラマン分光などの研究用途に最適です。

波長 780nm のモデル 780 NX は、非常に安定性に優れた最大 400 mW の単一周波数を出力し、ルビジウム遷移の精密な測定と制御を必要とするシステムに最適です。中央波長 780.24nm は、Rb 85 と Rb 87 に適合します。

波長 785nm のモデル 785 NX は、低ノイズ、TEM₀₀ビーム、高い安定性、狭線幅の出力により、高解像度・高コントラストのラマン分光に貢献します。さらに長期にわたる高い信頼性により、高度なラマン技術において、一貫性と再現性の高い成果を実現します。

高出力

エネルギー効率に優れたシステムで、最大 400 mW もの光パワーを出力します。

超低ノイズ：≤ 0.3 % RMS（10 Hz～10 MHz）

非常に低いASEノイズとクリーンなスペクトルプロファイルにより、シャープで安定した共鳴遷移を実現できます。

極めて狭いレーザー線幅：≤ 300 kHz

高いスペクトル純度により、高解像度かつ高コントラストなラマン測定や微細相互作用の高分解能測定が可能です。

高い波長安定性（±0.2pm ＠8時間以上）と出力安定性（<2% ＠8時間以上）

長寿命で、また長期間のレーザー稼働でも一貫して、出力パワーと波長の両方においてドリフトの少ない安定した出力が得られます。

省スペースで高性能なターンキーシステム：オンライン診断＆メンテナンス

独自の光学アーキテクチャと密閉シールドパッケージによる省スペースで高性能なターンキーシステムです。システム統合を想定して設計された汎用性の高いソフトウェア制御機能に加え、オンラインでの診断およびメンテナンスが可能です。

狭線幅と高いスペクトル純度と実現する、NX NIR 単一周波数CW DPSSレーザー技術

近赤外域モデルでは、波長は約775～815nmに固定され、温度制御式リファレンスエタロンを用いてロックされます。レーザーは、エラー信号からのフィードバックを用いて外部原子リファレンスにロックできます。微調整は、1GHzのチューニング範囲を持つピエゾ素子によって行われます。より大きな調整が必要な場合（異なる超微細遷移を達成する場合など）、基準エタロンを調整して、約 40GHz の拡張範囲を提供できます。

ルビジウム遷移のための 780nm 単一周波数 CWレーザー　780 NX

Skylark 780 NXは、ルビジウム共鳴遷移をはじめ、ラマン分光法、ブリルアン顕微鏡法、原子ピンセット、光マニピュレーション、ルビジウムD2遷移、冷原子トラッピング、原子分光法、磁気測定法、原子干渉法、ボーズ・アインシュタイン凝縮（BEC形成）、Rb磁気光学トラップ、周波数コム生成、原子時計、自由空間光通信などの用途に最適です。

製造：干渉法、マスクレス露光、微細加工、薄膜コーティング
検査：半導体検査、フローサイトメトリー、光ルミネセンス（PL）、スぺックル干渉計法
分析：ラマン分光法、ブリルアン顕微鏡、ドップラー冷却、光学操作、ルビジウムD2遷移、⁸⁵Rb、⁸⁷Rb、冷原子トラッピング、原子分光法、磁気測定、原子干渉計法、ボーズ-アインシュタイン凝縮（BEC形成）、磁気光学トラップ

ラマン分光用 785nm 単一周波数 CWレーザー　785 NX

Skylark 785 NXは、ラマン分光法、共鳴ラマン分光法、マイクロラマン分光法、表面増強ラマン分光法（SERS）、ラマンマッピング、クライオラマン分光法、ホットステージラマン分光法、2D材料分析、半導体材料分析、共焦点顕微鏡法、計測、自由空間光通信などの用途に最適です。

製造：干渉法、マスクレス露光、微細加工、薄膜コーティング
検査：半導体検査、フローサイトメトリー、光ルミネセンス（PL）、スぺックル干渉計法
分析：ラマン分光法、共鳴ラマン、マイクロラマン、表面増強ラマン（SERS）、ラマンマッピング、クライオラマン（極低温ラマン）、ホットステージラマン、2次元材料分析、半導体材料分析、計測学、自由空間光通信

半導体ウェハの欠陥検出への応用例

モデル	780 NX	785 NX
波長	780 nm	785 nm
光出力（固定値）	up to 400 mW	up to 400 mW
スペクトル幅	≤ 300 kHz	≤ 300 kHz
横モード	TEM00	TEM00
発振モード	CW, intracavity-locked SLM	CW, intracavity-locked SLM
スペクトル安定性（8時間超）	± 0.2 pm	± 0.2 pm
出力パワー安定性（8時間超、ピーク間）	≤ 2.0 %	≤ 2.0 %
出力パワーノイズ (10 Hz – 10 MHz)	≤ 0.3 % RMS	≤ 0.3 % RMS
ASEノイズ	< – 80 dB	< – 80 dB
ウォームアップ時間	5～30分	5～30分
消費電力（典型値）	< 50 W	< 50 W
ビーム出射口の高さ	54.2 mm	54.2 mm
ビーム径＠出力開口	0.8 – 1.2 mm	0.8 – 1.2 mm
ビーム拡がり角	≤ 1.0 mrad, 回折限界	≤ 1.0 mrad, 回折限界
ビーム位置安定性	≤ 5 µrad/°C	≤ 5 µrad/°C
コヒーレンス長	> 100 m	> 100 m
偏光比	≥ 100:1, vertical	≥ 100:1, vertical
レーザーヘッド外形, L x W x H	257 x 150 x 87 mm	257 x 150 mm x 87 mm
コントローラ外形, L x W x H	150 x 176 x 61 mm	150 x 176 x 61 mm
使用環境温度	18 – 30 ℃	18 – 30 ℃
レーザーインターフェイス安定性	± 1.5 ℃	± 1.5 ℃
保管環境温度	0 – 50 ℃	0 – 50 ℃
湿度	5 – 95 %, 結露なきこと	5 – 95 %, 結露なきこと
オプション	クローズドループチラー、ファンアシスト・ヒートシンク、ファイバ出力