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レーザー偏光制御・量子技術向け ポッケルスセル

QUBIG

QUBIG社のポッケルスセルは、KD*P、RTP、LT、GaAs、BBO結晶を採用し、レーザーキャビティのQスイッチング、モードロックレーザーのキャビティダンピング、再生増幅器へのパルス注入・抽出、ビームチョッピングなどに対応。高電圧パルスジェネレータやリニアアンプと組み合わせることで、超冷却原子や単一光子多重化などの量子技術用途でも精密な偏光制御を実現します。

レーザー偏光制御・量子技術向け ポッケルスセル

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KD*P、RTP、LT、GaAs、BBO結晶を用いたポッケルスセルを提供しています。レーザーキャビティのQスイッチング、モードロックレーザーのキャビティダンピング、再生増幅器へのパルスの注入・抽出、ビームチョッピングなどに対応。また、高電圧パルスジェネレータやリニアアンプと組み合わせることで、超冷却原子や単一光子多重化など新しい量子技術アプリケーションでも使用可能です。
波長範囲PC
HV短パルス / 非シールド
PCA
アナログ制御 / シールド
UV (200–400 nm)PC-UVPCA-UV
VIS (400–700 nm)PC-VISPCA-VIS
NIR (630–1100 nm)PC-NIRPCA-NIR
SWIR (1.0–3.0 μm)PC-SWIRPCA-SWIR
MWIR (3.1–4.5 μm)PC-MWIRPCA-MWIR
LWIR (7.5–12 μm)PC-LWIRPCA-LWIR

※各モデルの詳細仕様については、お問い合わせください。

  • Qスイッチ
  • ビームチョッパー
  • パルスピッカー
  • レーザー強度制御/安定化
  • 光学ダイポールトラップ/光格子
  • 偏光変調
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