350nm〜2150nm 広帯域・高出力・狭線幅レーザー
VALOシリーズは、原子・分子・光（AMO）物理研究の現場で求められる、広い波長可変性、高出力、狭線幅、優れたビーム品質を、シンプルなディスクレーザー構造によって高い水準で両立しています。紫外〜可視〜近赤外という広いレンジをカバーし、装置構成の見直しや光源の置き換えを柔軟に進められるレーザープラットフォームです。
特にレーザー冷却、リュードベリ遷移、光トラップ、光時計遷移など、原子・イオンを精密に操作する実験系において優れた性能を発揮します。
- 広帯域：350nm〜2150nm
- 高出力：最大10W(SF)/3W(SHG)
- 狭線幅：瞬時100 Hz未満／10 kHz未満@RMS 10 μs／100 kHz未満@RMS 100 μs
- モードホップフリー(最大15GHz)
- 高ビーム品質：M²<1.1
VALO SFは近赤外〜可視長波長域を直接発振でカバーするモデルです。VALO SHGは、共振器内部で基本波を増幅しながら同時に第二高調波発生（SHG）を行う”3-in-1″方式（シード・増幅・倍波変換の一体化）により、紫外〜可視域において他に類を見ない高出力を実現しています。SHGモデルでは基本波（水平偏光）を副出力として同時に取り出すことも可能です。
- レーザー冷却
- リュードベリ遷移
- 光トラップ
- ラマンゲート
- 光時計遷移
| モデル | VALO SF | VALO SHG |
|---|---|---|
| 方式 | 直接発振VECSEL（CW） | 共振器内倍波VECSEL（CW） |
| ゲイン媒質 | 光励起半導体ゲインミラー | |
| 対象波長 | 700 – 2150 nm | 350 – 800 nm |
| 出力（励起レーザー内蔵）1 | 0.5 – 10 W | 0.01 – 3 W |
| 粗調整範囲 2 | 5 – 100 nm | 0.5 – 10 nm |
| モードホップフリー掃引範囲 3 | 1 GHz超（高速）／10 GHzまで（低速） | 2 GHz超（高速）／15 GHzまで（低速） |
| 線幅（自走時） | 瞬時100 Hz未満／10 kHz未満@RMS 10 μs／100 kHz未満@RMS 100 μs | |
| 周波数変調 | ピエゾ素子、帯域10 kHz、感度50 MHz/V | |
| 位相変調（オプション） | 共振器内EOM、帯域1 MHz | |
| RMS RIN（自走時） | 0.05%未満（10 Hz–3 MHz） | |
| パワー安定性（自走時） | 8時間RMSで0.5%未満 | |
| 光信号対雑音比 | 100 dB超 | |
| ビーム品質 4 | M2 < 1.1（TEM00） | |
| ビーム径／発散角 4 | 1.5 mm未満／5 mrad未満 | 1.5 mm未満／8 mrad未満 |
| 偏光 | 水平（p偏光） | 垂直（s偏光） |
| 副出力 | なし | 基本波（水平、p偏光） |
| 偏光消光比 | 20 dB超 | |
| ヘッド寸法 | 320×190×101 mm（6.1 L、3U） | |
| 制御部 5,6 | ラックマウント、3U＋換気1U | |
| 冷却 6 | 水冷式チラー、4U（他形態も対応可） | |
1 出力は波長に依存します。戻り光のある用途では、シングルステージアイソレータの使用を推奨します。
2 粗調整範囲は波長および出力に依存します。最大10THzのチューニング範囲は、標準的な利得帯域幅に対応します。
3 モードホップフリー掃引範囲(高速)は、ピエゾ電圧制御によって掃引されるレーザー共振器のフリースペクトル範囲に対応します。拡張モードホップフリー掃引範囲(Extended MHFTR)は、ピエゾスタックと他のチューニング素子を同時に調整することで達成されます。
4 レーザー出射口における代表値です。ビーム径はビームの1/e²レベルでの全幅、発散角は全平均発散角を示します。値はレーザー共振器の構成、すなわち波長に依存します。
5 制御ユニットには、ポンプレーザー用の低ノイズレーザーダイオードドライバーと、波長チューニングおよび出力最適化に使用できる最大5系統の共振器素子温度コントローラーが含まれます。
6 制御ユニットおよび標準仕様の水冷ユニットは19インチラックマウント対応です。
