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高出力ハイブリッドピコ秒レーザー
高出力で高速加工と高生産性を実現する、国産ピコ秒ハイブリッドレーザー
- 自社開発・自社生産の国産ピコ秒レーザー
- 高パルスエネルギー
- 光学部品の長寿命化により、ランニングコスト・ダウンタイムの最小化を実現
- パルススプリットモード・マルチパルス機能選択可能
- 繰り返し周波数カスタム対応可能
高出力ハイブリッドピコ秒レーザーは、DFB半導体レーザーのゲインスイッチ法を採用、励起用半導体レーザーに高い信頼性を持つシングルエミッタタイプを搭載。これにより一般のピコ秒レーザーのような部品劣化による種光源の交換が不要となりました。更に独自のゲインスイッチ法と増幅器を組合せることにより、波長変換結晶の長寿命化を達成し、長期運用におけるランニングコストの低減を実現しました。パルススプリットモードでは低い繰り返し周波数での動作が可能で、マルチパルスモードでは細分化したパルス列での動作が可能です。パルス設定の変更により各種材料への加工特性を向上させることが可能です。※本レーザーを用いたデモ加工にご対応します。
532nm, 355nm, 266nmモデルをご用意しています。
| モデル | LDH-G2510 | LDH-V1610 | LDH-X0810 *1 |
|---|---|---|---|
| ビーム特性 | |||
| 波長 | 532nm | 355nm | 266nm |
| 平均出力 | ≧25W | ≧16W | ≧8W |
| 繰り返し周波数 | 200kHz~1000kHz | 200kHz~1000kHz | 200kHz~1000kHz |
| パルス幅 | <15ps | <15ps | <15ps |
| ビーム径 | φ3.0±0.5mm | φ1.8±0.5mm | φ4.5mm±0.5mm |
| 拡がり角 | <0.4 mrad(全角) | <0.5 mrad(全角) | ＜0.5mrad(全角) |
| モード品質 | M2<1.3 | M2<1.4 | ********** |
| 横モード | TEM00 | TEM00 | TEM00 |
| 偏光方向 | 直線 | ********** | 直線 |
| システム構成 | |||
| レーザーヘッド (寸法) | W518 x D884 x H170mm, 66kg | W518 x D917 x H170mm, 66kg | W1200 x D420 x H170mm, 92kg |
| レーザーコントローラ (寸法) | W430 xD394 x H192mm, 13kg | W430 xD394 x H192mm, 13kg | W430 x D351 x H192mm, 13kg |
| 冷却方式 | レーザーヘッド(水冷) コントローラ(空冷) | レーザーヘッド(水冷) コントローラ(空冷) | レーザーヘッド(水冷) コントローラ(空冷) |
| 供給電源 | 単相 AC100~240V±10%, 50/60Hz | 単相 AC100~240V±10%, 50/60Hz | AC100~240V±10%, 50/60Hz |
| 消費電力 | 最大 2.75kW | 最大 2.75kW | 最大 2.5kW |
| 外部制御 | ********** | 外部ゲート制御(TTL) 通信制御:Ethernet | ********** |
| ウォームアップ時間 | コールドスタート時 60min(typ.) ウォームスタート時 15min(typ.) | コールドスタート時 60min(typ.) ウォームスタート時 15min(typ.) | コールドスタート時 60min(typ.) ウォームスタート時 15min(typ.) |
| 動作保証温度 | 15~30℃ ※2 | 15~30℃ ※2 | 15~30℃ ※2 |
| 保管温度 | 0~50℃ | 0~50℃ | 0~50℃ |
| 湿度 (動作時・保管時共) | 10~85%RH 結露無きこと | 10~85%RH 結露無きこと | 10~85%RH 結露無きこと |
*1 仕様詳細についてはお問合せ下さい。
*2 性能保証環境温度安定性 動作保証温度範囲内±1℃
※本仕様は予告なく変更される場合があります。ご購入時に必ずご確認ください。
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