フォトディテクター

Electro-Optics Technology

フォトディテクターを豊富にラインアップ。高速変調CWレーザー、Q-スイッチレーザー、モードロックレーザーの強度・パルス波形のモニタリングに最適。組込み用途にも広い実績。

フォトディテクターを豊富にラインアップ
  • 高速変調CWレーザー、Q-スイッチレーザー、モードロックレーザーの強度・パルス波形のモニタリング等に最適
  • 1987年以来の高い実績!
  • 低価格タイプ~高速タイプ
  • 多彩なディテクター素材により、幅広く波長域をカバー


※多数ラインナップがございます。適切に製品をご案内するため、製品担当営業部門(東京本社レーザー機器部・支店レーザー担当営業)にお問い合わせください。
レーザー製品担当共通メールアドレス lase@japanlaser.jp

 
※セレクションガイドもご参照ください。 セレクションガイドダウンロード

シリコン フォトディテクター

Silicon Photodetectors

  • 紫外~可視
  • 立上り/立下り時間:300ps-30ns(モデル選択)
  • 感度:0.47-0.6A/W @830nm
  • 周波数帯:>1.2GHz-25MHz(モデル選択)
  • 超低価格

InGaAs フォトディテクター

InGaAs Photodetectors

  • 近赤外
  • 立上り/立下り時間:175ps
  • 感度:0.85-0.9A/W @1.3μm
  • 周波数帯:>2GHs, 1.5GHz
  • 超低価格

<2GHz 増幅フォトディテクター ( Si, InGaAs )

<2GHz Amplified Photodetectors

  • 紫外~近赤外
  • 周波数帯域:30kHz-1.2GHz, 1.5GHz
  • 立上がり/立下り時間:500ps, 400ps
  • 感度:450V/W @830nm, 900V/W @1300nm
  • 高繰返しCW変調光、パルスレーザーのモニタリングに最適です。
  • 超低価格

>12.5GHz フォトディテクター ( GaAs, InGaAs )

>12.5GHz Photodetectors

  • 可視~近赤外
  • 波長域:500-1650nm(モデル選択)
  • 立上り/立下り時間:<25ps, 30ps
  • 光入力:空間, FC/UPC

>10GHz 増幅フォトディテクター ( InGaAs, GaAs )

>9GHz Amplified Photodetectors

  • 可視~近赤外
  • 波長域:500-1650nm(モデル選択)
  • 周波数帯域:20kHz-10GHz
  • 立上がり/立下り時間:35ps
  • 光入力:空間、FC/UPC

>12.5GHz 2µm InGaAs フォトディテクター (増強 InGaAs)

>12.5GHz 2µm InGaAs Photodetectors (Extended InGaAs)

  • 近赤外(2μm検出可能)
  • 立上り/立下り時間: 28ps
  • 周波数帯域: >12.5GHz
  • 低価格

>10GHz 2µm 増幅 InGaAs フォトディテクター (増強 InGaAs)

>9GHz 2µm Amplified InGaAs Photodetectors (Extended InGaAs)

  • 近赤外(2μm検出可能)
  • 立上り/立下り時間: 35ps
  • 周波数帯域: 20kHz-10GHz

22GHz InGaAs フォトディテクター

22GHz InGaAs Photodetectors

  • 近赤外
  • 立上り/立下り時間: 16ps
  • 周波数帯域: >22GHz
  • 光入力:空間、FC/UPC
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