シリコン フォトディテクター

• 紫外～可視
• 立上り/立下り時間：300ps－30ns（モデル選択）
• 感度：0.47-0.6A/W @830nm
• 周波数帯：>1.2GHz-25MHz（モデル選択）
• 超低価格

InGaAs フォトディテクター

• 近赤外
• 立上り/立下り時間：175ps
• 感度：0.85-0.9A/W @1.3μm
• 周波数帯：>２GHs, 1.5GHz
• 超低価格

<2GHz 増幅フォトディテクター　( Si, InGaAs )

• 紫外～近赤外
• 周波数帯域：30kHz-1.2GHz, 1.5GHz
• 立上がり/立下り時間：500ps, 400ps
• 感度：450V/W @830nm, 900V/W @1300nm
• 高繰返しCW変調光、パルスレーザーのモニタリングに最適です。
• 超低価格

>12.5GHz フォトディテクター　( GaAs, InGaAs )

• 可視～近赤外
• 波長域：500-1650nm（モデル選択）
• 立上り/立下り時間：<25ps, 30ps
• 光入力：空間, FC/UPC

>10GHz 増幅フォトディテクター ( InGaAs, GaAs )

• 可視～近赤外
• 波長域：500-1650nm（モデル選択）
• 周波数帯域：20kHz-10GHz
• 立上がり/立下り時間：35ps
• 光入力：空間、FC/UPC

>12.5GHz 2µm InGaAs フォトディテクター (増強 InGaAs)

• 近赤外（2μm検出可能）
• 立上り/立下り時間: 28ps
• 周波数帯域: >12.5GHz
• 低価格

>10GHz 2µm 増幅 InGaAs フォトディテクター (増強 InGaAs)

• 近赤外（2μm検出可能）
• 立上り/立下り時間: 35ps
• 周波数帯域: 20kHz-10GHz

22GHz InGaAs フォトディテクター

• 近赤外
• 立上り/立下り時間: 16ps
• 周波数帯域: >22GHz
• 光入力：空間、FC/UPC