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波長800~2600nm対応 InGaAs・ゲルマニウムフォトダイオード
波長域 800nm〜2600nm（UV〜SWIR）、有効径 φ60µm〜25mm、シングルセルからマルチセル・2色検出に対応。低暗電流・低容量・高感度を追求したInGaAs／ゲルマニウム フォトダイオードシリーズです。
InGaAsフォトダイオード・Ge赤外検出器｜波長800~2600nm対応（シングルセル）
NIR・SWIR検出向け高性能フォトダイオード
ゲルマニウム、標準InGaAs、拡張InGaAs、高速タイプを含む幅広いフォトダイオードのラインアップを提供しており、近赤外(NIR)から短波長赤外(SWIR)までの波長域における高精度な検出を実現します。さらに、セグメント型・マルチセル型の位置検出フォトダイオードも取り揃えており、アライメント、トラッキング、光計測といった用途をサポートします。
| モデル | ゲルマニウム(Ge) フォトダイオード | 標準InGaAs フォトダイオード | 拡張InGaAs フォトダイオード | 高速InGaAs フォトダイオード | InGaAs APD (アバランシェ) |
|---|---|---|---|---|---|
| 感度波長範囲 [nm] | 800~1800 | 800~1700 | 1000~2600 (カットオフ 1.9/2.1/2.3/2.6μm) | 850~1700 | 900~1650 |
| 受光径 | φ1mm~25mm | φ100μm~10mm | φ0.3mm~3mm | φ60μm~300μm | φ80μm~350μm |
| 受光感度 [A/W] | 0.85(typ. @1550nm) | 0.93~1.1(@1550nm) | 0.9~1.0(@ピーク波長) | データシート参照 | 内部利得により 微弱信号を増幅 |
| 暗電流 | 0.5~50μA(max.) | 0.05~10μA(typ.) | 0.1~500μA(max.) | 低暗電流 | 低暗電流 |
| 応答速度・帯域 | 動作電圧別4系列 (GM/HS/VHS/VHR) | 小面積:高速 大面積:高感度 | 低速~準DC計測向き | 最大2.5GHz (パッケージ依存) | 高速対応 |
マルチセルフォトダイオード(4分割・8分割)｜InGaAs位置検出センサ
高精度位置検出を実現する先進のマルチセルフォトダイオード
マルチセルフォトダイオードは、1つのセンサ内に複数の分割された受光領域を備えており、1軸または複数軸にわたる光の位置や動きを高精度に検出できます。各セグメントからの信号を比較することで、高分解能なビームアライメントとトラッキングを実現し、産業、科学研究、計測機器などの高度な要求に応えます。
| モデル | 4分割フォトダイオード (Quadrant) | 8分割フォトダイオード (Octo™) | テトララテラル フォトダイオード |
|---|---|---|---|
| 検出方式 | 分割型(4セグメント) 信号比較によるX-Y検出 | 分割型(8素子) 外側+内側クワッドの 2重同心構成 | 連続受光面型 (不感帯なし) |
| 感度波長範囲 [nm] | 800~1700 | 800~1700 | 800~1700 |
| 受光面サイズ | φ0.5 / 1.0 / 1.5 / 2.0 / 3.0mm | φ4.4mm | 最大10×10mm (リニア位置検出は最大20mm) |
| 特長 | X-Y変位の高速アナログ検出。 ビームアライメントの 標準選択肢 | 粗検出と精密検出を 1チップで両立。 広ダイナミックレンジ | 微小ビーム・移動ビームを 途切れなく連続追跡 |
| 主な用途 | FSO光通信のレーザーガイダンス、 光ピンセット、 ビームプロファイリング | FSO光通信のレーザーガイダンス、 光ピンセット、 ビームプロファイリング | 2次元位置検出、 ビームアライメント、 リニア位置検出 |
2色検出器・低PDL InGaAsフォトダイオード｜特殊用途向け受光素子
高度な光センシング・計測に対応する特殊受光素子
高度な光センシング・計測向けに設計された特殊フォトダイオードを提供しています。ラインアップには低PDL InGaAs検出器と2色検出器があり、いずれも安定性と幅広い波長対応力を備え、光ファイバシステムや計測機器へスムーズに組み込めるよう設計されています。
| モデル | 2色検出器 (Two-Color Detector) | 低PDL InGaAsフォトダイオード |
|---|---|---|
| 方式・構成 | 2つのフォトダイオードを上下に積層 (Si / Ge / InGaAs / 拡張InGaAsの組み合わせ) | 偏光依存損失(PDL)を低減した InGaAs単素子 |
| 感度波長範囲 | 積層材料の組み合わせにより広帯域化 (詳細はお問い合わせください) | 近赤外域 (カットオフ波長1.7μm、格子整合型) |
| 受光面サイズ | 大面積対応 | φ0.3~10mm (受光径によらず低PDL特性) |
| 特長 | 1素子で2波長を同時検出、低暗電流 | 偏光状態によらず安定した受光感度。 光レセプタクル対応(FC、SC、ST、SMA) |
| 主な用途 | 分光測光、放射温度計(遠隔温度計測) | LD後方光モニタ、光パワーメータ、 ファイバ・カプラの偏光特性評価 |
- 光通信：ネットワーク監視、光アライメント、衛星レーザー通信
- 防衛：測距、レーザー警戒、無人機（ドローン）検知
- 産業／医療：分光分析、ロボットアライメント、生体センシング（脈波・血糖モニタリング等）
