市販品で最高のダイナミックレンジを持つ3次フェムト秒クロスコリレーター。高ピークパワー・フェムト秒レーザーシステムのレーザーパルス形状の厳密な制御に理想的。

CWレーザー測定対応。波長精度 最高±0.0001nm。1台で波長測定＆スペクトル分析が可能。可視光(VIS)から中赤外(MIR)領域まで (375nm to 12μm) の波長域をカバー。マイケルソン干渉計ベース。パルスレーザー(>50kHz)の測定が可能。

境界層や壁面流、噴霧の可視化 / PIVに適した非コヒーレント光特性のレーザーです。鏡面やメタルの反射が低く、金属面などの照明に最適です。最大50 kHzの繰り返しが出来るパルス発振により、ハイスピードカメラの撮影コマ数に関係なく一定の明るさで撮影が可能です。

従来のFT-IRに代わる、次世代の赤外分析技術、QCL-IRを採用した小型の溶液用赤外分析装置です。QCL-IRは最大10HzでIRスペクトルを取得することができ、従来技術に比べはるかに高速で安定しています。その測定速度を活かし、リアルタイムでの濃度モニタリングが可能です。また、輝度が高く、少量の溶液サンプルでも分析可能です。Culpeo® QCL-IR液体分析器　バイオプロセス分析・液体クロマトグラフィー・ワクチン関連の分析に最適です。

コンパクトで使いやすい高速・高感度テラヘルツセンサー。パイロエレクリック技術ベース。スペクトル範囲 0.1 – 30 THz。高速応答 ～2.5kHz。高感度(～2 kV/W)、低ノイズ。 パルス（QCW）操作。検出部サイズ 5mm径。

長寿命プローブ：- AFMプローブ HARDシリーズ,- AFMプローブ 導電性ダイヤモンドコーティング DMD-XSC11

波長範囲 1880-2000 / 1900-2050 nm, 平均出力 >100 mW /1.3 W。 幅広いゲイン波長域、低ノイズ、優れた出力安定性を有します。

レーザー加工の幅広い要求に柔軟に対応、カスタマイズ性、信頼性、品質に優れたレーザー加工ヘッドです。

最高の耐摩耗性と電気的性能を提供する高導電性ダイヤモンドプローブ（ダイヤモンドAFMカンチレバー）

レーザーマーキング・コンプリートシステム。光源、光学系、機械系コンポーネント、ソフトウェア含む。比類のない高い柔軟性と直感的な操作性。独立型デバイスでも組込み用にも提供可能。

QスイッチDPSSレーザー　ナノ秒の短パルス　5ns でパルスエネルギーはmJ。24時間365日運用可能な高信頼性のレーザー。空冷コンパクトで超微細レーザー加工、精密なレーザー加工に最適です。

非接触・非破壊で表面の微細な3D形状、および粗さを測定・解析することができる形状計測装置です。装置組込み用顕微鏡ヘッドモデル、テーブルトップモデル、大型ステージ付きモデルまで、用途に応じた幅広いラインナップを提供。

エアー式ディスペンサでは実現不可能な細線描画、ピエゾ式インクジェットでは不可能な高粘度吐出を可能にする従来の常識を覆した高機能パターニング技術。

革新的なファイバアンプ技術によるコンパクト、ハイパワー、高エネルギー、高繰り返しのフェムト秒/ピコ秒ファイバレーザー。パルス幅 最短 500 fs – 10 ps、繰返し周波数 single shot to 40MHz、最大平均出力 100W、最大パルスエネルギー 500 µJ。

完全インライン向けLIBSシステム。20kHzの超高繰返し測定（カスタムで100kHzまで可）

バイオ、産業用途に最適なコンパクトなCW LDモジュール。紫外375nm～赤外1550nm。最大300mW出力。

測定用標準基板・テストサンプル・校正構造体：- AFM 校正用構造体 測定用標準基板 HOPG,- AFM 校正用構造体 TGXYZ,- AFM 校正用構造体 TGX,- AFM 校正用構造体 TGF11シリーズ

シリコンナイトライドカンチレバー・チップのガラスホルダーチップの両側に2つ配置。用途としてソフトコンタクトモードで使われます。

破片粒子の少ないレーザー切断を実現。リチウムイオン電池の電極加工に好適。

世界最高精細の光造形装置。迅速かつ超精密の微細加工を実現。

355 nm, 532nm, 420～1700nm, 繰り返し周波数 10, 20 Hz。様々なナノ秒Nd：YAGポンプレーザーと組み合わせ可能。OPOTEK社独自のコンパクトなスタンドアローン型OPOモジュール。

粒度分布測定に関する受託測定やコンサルティングなど、様々なサービスをご提供いたします。

金属単結晶・酸化物単結晶・合金単結晶試料の高品質品を高精度加工

従来のAFMの半分以下の低価格ながら、高いイメージング品質を発揮します。日本初上陸の高コストパフォーマンスAFMです。