革新的なファイバアンプ技術によるコンパクト、ハイパワー、高エネルギー、高繰り返しのフェムト秒/ピコ秒ファイバレーザー。パルス幅 最短 500 fs – 10 ps、繰返し周波数 single shot to 40MHz、最大平均出力 100W、最大パルスエネルギー 500 µJ。

非接触大型AFM-IR装置 PiFM 半導体向け200㎜ x 200㎜のウエハをそのまま測定可能です。

400nm近傍の波長に感度を有する厚膜フォトレジスト。マスクレス・リソグラフィのアプリケーションを拡げます

最新解析アルゴリズムと新特許光学系により、在来型や他方式を超える安定性と精度を実現。測定レンジ。サイズ：1μm ～15,600μm。速度：～1,000m/s@100μm

690～950 nm, 1200～2600 nm。繰返し10 or 20Hz (Phocus HR Mini のみ100Hz)。パルス幅5～9 ns。リングキャビティOPOベース 波長可変レーザー

1TW級ピーク出力を実現。信頼性の高い超高強度フェムト秒レーザー。最大6.25J。パルス幅 20fs以下。繰返し周波数 最高10Hz

非常に多彩な波長ラインナップ・単一周波数モデル・低ノイズモデルなど幅広いタイプの半導体レーザー＆DPSSレーザー。375～1444nm。最大出力2500mW。

高分解能・高速応答。動的変位測定のスタンダードモデル。

UV～ミリ波。CW、パルスの両レーザー光に対応。高精度で信頼性の高いレーザビーム計測機器

金属単結晶・酸化物単結晶・合金単結晶試料の高品質品を高精度加工

最大7波長のDPSS / LDレーザーモジュール（375～1550 nm）をコンパクトパッケージに格納。1波長当り最大300mW

ナノ秒レーザー加工、OEM組込みに最適。金属、プラスチック、セラミック、ガラスなど多彩な素材に適用できる高い平均出力：最大200W。1064 nm or 532 nm。繰り返し 1-100 kHz, CW

ピコオーダ、超高速(10MHz)、長作動距離(最大5m)、多様な材質や極端環境（超高真空、高磁場）に対応する変位測定干渉計【レーザー干渉式変位センサ】

粉体やペレット・サンプル中の異物を検出 (サイズ, 形状分析による)。粒子のサイズ、色、形状を高速に評価。多彩なサンプル搬送ユニット (乾式, 湿式, ステージ 等)。オフライン、オンラインの両方に対応可能。

最大出力パワー 400W。最大パルスエネルギー 15mJ。OPCPAポンピングや材料加工に好適。

高い安定性・高繰返し・コンパクト。3波長ラインナップ（1064, 532, 355 nm）。最高22W出力 CW。繰返し周波数 1-100kHz / 20-250kHz。最小パルス幅 6nsのショートパルスタイプをご用意。

高真空・超高真空対応プローブ。低アウトガス・高安定性・非磁性対応可能。

レーザー干渉を利用した厚さ測定装置。厚膜(1～500μm)測定用。小型・高速・高精度

シリコンナイトライドカンチレバー・チップのガラスホルダーチップの両側に2つ配置。用途としてソフトコンタクトモードで使われます。

卓上型ディスペンシング・ロボットシステム。XYステージ付きシステム。1nL(ナノリットル)以下の滴下、細線描画を実現。オートアライメント・ノズルギャップ自動補正機能を標準搭載 Twin-air®

流れの可視化光源に適した非常にコンパクトな筐体のレーザー

超高速のアナログ・デジタル変調を可能な半導体レーザー　紫外375～赤外1550 nm 範囲　最大出力300 mW

実体顕微鏡下での手作業に最適なマイクロ・ハンドディスペンサ

オンライン・インラインLIBS元素分析システム。製造ラインにおけるリアルタイム元素分析。代表的応用例は異材混入の防止（鉄鋼製造）PMI、製造プロセスにおけるオンライン元素モニター、ベルトコンベヤ上の各種原材料（石炭、鉱石、焼結体、塩、スラグなど）のオンライン分析等が可能です。