高出力 ハイパワーナノ秒レーザー
高性能Qスイッチ型パルスレーザー
- 高出力ハイパワーレーザー
- 自社開発・自社生産のレーザー
- 光学部品の長寿命化により、ランニングコスト・ダウンタイムの最小化を実現
- 完全空冷方式によるメンテナンスの最小化
高出力ナノ秒レーザー。ゲインスイッチを方式での分布帰還形(DFB)半導体レーザーを主光源とし、信頼性の高いシングルエミッタタイプを採用。長期での運用で安価なランニングコストを実現しました。また熱解析/制御技術のノウハウを応用し、完全空冷方式を実現。水冷方式に必要だった冷却水の入替や補充、各種液体フィルタ交換などの定期メンテナンスが不要です。
製品
モデル | LVE-G1010 | LVE-G1000 |
---|---|---|
ビーム特性 | ||
波長 | 532nm | 532nm |
平均出力 | ≧3.5W@10kHz | ≧10W@50kHz |
繰り返し周波数 | Max. 50kHz | Max. 200kHz |
パルス幅 | <8nsec@10kHz | <15nsec@50kHz |
ビーム径 | 0.9mm(typ.) | 1mm (typ.) |
拡がり角 | 2.4mrad(typ.) | 4.5mrad (typ.) |
モード品質 | M2<1.3 | M2<1.3 |
空間モード | TEM00 | TEM00 |
長時間安定8h | ±2% | ±2% |
偏光方向 | 直線偏光 | 直線偏光 |
システム構成 | ||
レーザーヘッド (寸法) |
W150 x D350 x H125mm, 8kg |
W150 x D350 x H125mm, 8kg |
レーザーコントローラ (寸法) |
W250 x D380 x H400.5 mm, 26kg |
W250 x D380 x H400.5mm, 26kg |
冷却方式 | 完全空冷方式 (レーザーヘッド、コントローラ共) |
完全空冷方式 (レーザーヘッド、コントローラ共) |
供給電源 | 単相 AC100~240V±10%, 50/60Hz |
単相 AC100~240V±10%, 50/60Hz |
消費電力 | 最大1000W | 最大1000W |
外部制御 | 外部トリガ制御(TTL) | 外部トリガ制御(TTL) |
ウォームアップ時間 | コールドスタート時:<20min, ウォームスタート時:<5min |
コールドスタート時:<20min, ウォームスタート時:<5min |
動作保証温度 | 15~30℃ *1 | 15~30℃ *1 |
保管温度 | 0~50℃ | 0~50℃ |
湿度(動作時・保管時共) | 10~85%RH 結露無きこと |
10~85%RH 結露無きこと |
∗1 性能保証環境温度安定性 動作保証温度範囲内±1℃
※本仕様は予告なく変更される場合があります。ご購入時に必ずご確認ください。
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