高出力 ハイパワーナノ秒レーザー

スペクトロニクス

Nd:YVO4結晶を使用。あらゆる材料への微細加工向け高性能Qスイッチ型パルスレーザーです。短いパルス幅でかつ高いビーム品質を保持、微細加工で高い性能を発揮します。

高性能Qスイッチ型パルスレーザー

  • 高出力ハイパワーレーザー
  • 自社開発・自社生産のレーザー
  • 光学部品の長寿命化により、ランニングコスト・ダウンタイムの最小化を実現
  • 完全空冷方式によるメンテナンスの最小化
  • 世界最小クラスのレーザ発振器

高出力の全固体Qスイッチパルス ナノ秒グリーンレーザーです。ゲインスイッチを方式での分布帰還形(DFB)半導体レーザーを主光源とし、信頼性の高いシングルエミッタタイプを採用。長期での運用で安価なランニングコストを実現しました。また熱解析/制御技術のノウハウを応用し、完全空冷方式を実現。水冷方式に必要だった冷却水の入替や補充、各種液体フィルタ交換などの定期メンテナンスが不要です。
 
平均出力≧3.5W@繰返し周波数10kHzのLVE-G1010と、平均出力≧10W@繰返し周波数50kHzのLVE-G1000の2モデルがございます。
 
PCD、ダイヤモンドの加工に最適です。
spectronix_diamondcutting_nano

 

モデル LVE-G1010 LVE-G1000
ビーム特性
波長 532nm 532nm
平均出力 ≧3.5W@10kHz ≧10W@50kHz
繰り返し周波数 Max. 50kHz Max. 200kHz
パルス幅 <8nsec@10kHz <15nsec@50kHz
ビーム径 0.9mm(typ.) 1mm (typ.)
拡がり角 2.4mrad(typ.) 4.5mrad (typ.)
モード品質 M2<1.3 M2<1.3
空間モード TEM00 TEM00
長時間安定8h ±2% ±2%
偏光方向 直線偏光 直線偏光
システム構成
レーザーヘッド寸法 W150 x D350 x H125mm, 8kg W150 x D350 x H125mm, 8kg
レーザーコントローラ寸法 W250 x D380 x H400.5 mm, 26kg W250 x D380 x H400.5mm, 26kg
冷却方式 完全空冷方式(レーザーヘッド、コントローラ共) 完全空冷方式(レーザーヘッド、コントローラ共)
供給電源 単相 AC100~240V±10%, 50/60Hz 単相 AC100~240V±10%, 50/60Hz
消費電力 最大1000W 最大1000W
外部制御 外部トリガ制御(TTL) 外部トリガ制御(TTL)
ウォームアップ時間 コールドスタート時:<20min,
ウォームスタート時:<5min
コールドスタート時:<20min,
ウォームスタート時:<5min
動作保証温度 15~30℃ *1 15~30℃ *1
保管温度 0~50℃ 0~50℃
湿度(動作時・保管時共) 10~85%RH, 結露無きこと 10~85%RH, 結露無きこと

∗1 性能保証環境温度安定性 動作保証温度範囲内±1℃

※本仕様は予告なく変更される場合があります。ご購入時に必ずご確認ください。

寸法図

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