S neox Five Axis 5軸ステージ付き白色干渉計は、高精度回転ステージモジュールと白色干渉計 高速・多機能モデルS neox の高度な検査および解析機能を組み合わせています。これにより、指定された位置・角度で自動的に3D表面形状測定を行い、完全な3D形状計測が可能になります。

シリコンナイトライドカンチレバー・チップのガラスホルダーチップの両側に2つ配置。用途としてソフトコンタクトモードで使われます。

拡張ピクセル分解能を備えた2位置または4位置のアクチュエータによるビームシフティングデバイス です。標準開口径 9～33mm。3Dプリンタ、カメラ、計測、光結合などでご活用いただけます。

レーザー使用時に必須の保護めがねとゴーグル等を提供しております。形状・機能･用途に応じて幅広いモデルをラインナップ。適合規格EN CE に対応した製品もご用意しております。

中赤外スーパーコンティニューム光源の励起に最適。中心波長 1900～2000 nm、繰り返し周波数 kHz～MHz、パルスエネルギー10 μJにて最大出力10 W

溶接のアークや炎の光の中を可視化する溶接可視化システム

様々な光学システムに対応した計測・特性評価サービスを提供、カスタム設計も対応。お客様の光学システム全体の性能評価を行い最適化をご提案が可能です。特定の光学特性評価や計測目的で最先端かつカスタムの装置やベンチを構築も可能です。

ナノインプリントにおける樹脂硬化方式/プレス⽅式/加圧方式の組み合わせを選択可能。かつレトロフィットを可能にしたR&D専用装置。ナノインプリント・プロセス応用を伴う研究開発を加速します。

最大５つのラインを組合せ1本のファイバーとして結合が可能です。シンプルモード、偏光保持モード、マルチモードなど複数のタイプの伝送モードが使用可能。様々な出力コネクタに対応

高速・微細な多穴加工（円および四角形状）

PER (偏光消光比) 範囲 50dB。ブロードバンド光源のPERを直接計測可能。1ch. or 2 ch.

超小型温度センサーヘッド、冷却なしで120℃までの温度環境で使用可能。IP65準拠で工業用アプリ ケーションに最適

CWレーザー測定対応。波長精度 最高±0.0001nm。1台で波長測定＆スペクトル分析が可能。可視光(VIS)から中赤外(MIR)領域まで (375nm to 12μm) の波長域をカバー。マイケルソン干渉計ベース。パルスレーザー(>50kHz)の測定が可能。

Lumina Instruments社のATシリーズは、ガラス基板、半導体基板、ディスプレイ基板などの基板の欠陥を可視化する欠陥検査イメージング装置です。高速での測定とnm単位の高いPSLパーティクル感度を実現。

偏光スプリッタとフォトディテクタ、回路をコンパクトなボディに組み込んだ偏光フォトディテクタです。高い消光比と信頼性を備えたモデルです。

極微量滴下を可能にしたツインエアー方式。独自技術のセルフサックバックで液だれ、濡れ上がり無し

フォトン カウンティング（光子計数 ）実験用のアクセサリを提供しています。PicoHarp 300 TCSPC 用ルーター、SPAD 用専用デュアル チャネル電源、ピコ秒分解能のディレーヤー、トリガー ダイオード 信号コンディショナー、信号ケーブル

レーザー干渉を利用した厚さ測定装置。厚膜(1～500μm)測定用。小型・高速・高精度

チップレスシリーズは、チップの片側に異なるばね定数と共振周波数を持つ3つのチップレスカンチレバーを備えています。 本シリーズは以前の12シリーズに代わるものです。
チップレスカンチレバーは材料特性と相互作用の測定に使用できます。 ガラス球やポリスチレン粒子などをチップレスカンチレバーに取り付け、AFMのような実験に適用することができます。

高速かつ高い信頼性を実現した光スイッチで、テスト工程の効率化を実現します。スイッチの構成、ファイバの種類、コネクタなど、幅広くカスタマイズが可能です。

業界一の超高速でケミカルイメージ（化学組成マッピング）を測定可能です。1視野のケミカルイメージは35秒で取得できます。固定波数でのイメージングは、毎秒30フレームのリアルタイム取得です。工業サンプルの赤外像を可視化できます。バイオ・医療分野ではがん細胞と正常細胞を赤外吸収スペクトルの違いで判別する研究に応用されています。詳しくは応用例タブをご覧ください。

ナノメートル分解能の圧電素子モータベース・直進ステージ。単軸/多軸、一体型/モジュール式、オープンループ/クローズドループを用途に応じて選択可能

最新の電気光学フィードバックループにより、レーザーの特性と機能を簡単に制御

>50Hzのパルスレーザーが測定可能。QCLに最適。高い波長精度：±0.08 nm @ 8μm､高い光除去比：20 dB、1〜12μmの波長域。CWレーザーも測定可能。